明杆闸阀图片 结构图,明杆闸阀图片结构图
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燃气灶开关总成结构图原理?
燃气灶开关总成包括按键、电路板和阀门组成。当按下开关,电路板接收到信号后会产生控制信号,驱动阀门打开或关闭,从而控制燃气的流动和供应。燃气灶开关总成的原理是通过电路板控制阀门,实现燃气的开闭,从而控制灶具的点火和燃烧。整个过程需要确保安全可靠,以防止燃气泄漏和火灾等危险情况发生。
***油树结构图详解?
***油树(也称为油井装置)是在石油开***过程中使用的一种设备,用于控制井口压力、调节流体流动、监测井底条件等。它通常由上述地面设备和井下包括井筒、井底阀门等组成。
以下是一幅典型的***油树结构图的解释:
1. 油井井筒:是一种通过钻探开凿地下的孔穴,用于开***石油或天然气。它是***油树的主体部分,贯穿整个地下地层。
2. 主导管:是一根沿着井筒延伸至地面的大直径钢管,用于将地下地层的流体(油、气、水)输送到地面处理设备中。
3. 壓力控制设备:这是一个由多个阀门和装置组成的部分,用于控制井口压力和调节流体流动。常见的压力控制设备包括:人工举升控制阀、气举控制阀、可控闸阀等。
4. 压力计和传感器:***油树上安装了多个压力计和传感器,用于监测井底状况、流体流动压力、温度等参数。
5. 集流器:这是一个可关闭阀门,用于收集并控制从不同井筒开***的流体,然后送往地面处理装置。
6. 管道和连接件:***油树中有许多管道和连接件,用于将流体从不同的位置输送到相应的阀门、计量装置和控制装置。
7. 球阀和闸阀:这些阀门用于控制流体的流动和停止,以及调节流体的压力。
总的来说,***油树结构图展示了在油井开***过程中,地下地层与地面设备之间的关系和连接方式。它的设计和构造能够有效地控制井口压力、调节流体流动,确保安全和高效的石油开***。
三极管是如何实现开关功能的?
所谓的三极管开关功能是电子式的开关,与机械开关有一定差异的。比如用三极管控制小灯炮的点亮和熄灭,虽然没有物理性的开关切断,但我们也可以认为灯炮有开和关的过程。
三极管开关功能实现方法
当三极管基极(b)电流达到一定大小,三极管的B-E极为正偏(Vb>Ve);B-C极也为正偏(Vb>=Vc),三极管将会工作在饱和区,此时三极管的集电极(C)电流Ic将不受基极(b)电流控制,可以以较大的电流工作。
三极管驱动小灯炮电路分析
- 三极管的基极(B)为低电平时,三极管处于截止区,小灯泡熄灭
三极管的基极(B)为高电平,并Ib达到一定大小时,三极管就会饱和导通,小灯炮点亮
(图片来源网络,侵删)小灯炮的点亮和熄灭过程我们就可以认为是小灯炮的开和关了。
三极管输出高电平信号分析
- 当三极管截止时,Out输出的是高电平
- 当三极管饱和导通时,三极管的Vce<0.7V,所以可以认为Out为低电平
- 高、低电平的变化,我们就可以认为是“开关的闭合和断开”了
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三极管是一种控制电流的半导体器件。
三极管是半导体基本元器件之一,基本结构是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区。
三极管作为电子开关使用时,只要选取阻值合适的基极限流电阻,使管子工作于截止区和饱和区,即可实现开关功能。下面以一个简单的三极管开关电路为例,
图中的三极管VT工作于开关状态,电阻R47为VT基极的限流电阻,R48为VT的集电极负载。
当Vin为高电平(这里***定高电平为6V,实际这个电路中高电平只要≥0.8V即可)时,VT的基极获得足够大的偏置电流而导通。此时VT的集电极-发射极之间的电阻变得很小,如同一个闭合的开关,故R48得电工作,若R48为一个指示灯,此时即可点亮。
当Vin为低电平(这里***定低电平为0V,实际只要低电平≤0.5V即可)时,VT的基极失去偏置电流而截止。此时VT集电极-发射极之间的电阻变得甚大,如同一个断开的开关,故此时R48失电停止工作,若R48为指示灯,此时将无法点亮。
三极管是最基本的电子元器件之一,其用途广泛。想要知道三极管是怎么实现电子开关的功能,首先要了解三极管的基本原理。
三极管和MOS管都可以作为电子开关使用,三极管属于电流控制元器件,跟MOS管不同,MOS管属于电压控制元器件。
三极管有两种类型,NPN型和PNP型,其结构示意图如下图所示。可以看出,三极管是由两个PN结经过特殊的工艺技术处理形成的。三极管有三个极:基极、集电极和发射极,基极用字母b表示,集电极用字母c表示,发射极用字母e表示。
▲三极管的结构图
三极管正常工作时有三个区间:截止区、放大区和饱和区。
截止区:Ube<死区电压,死区电压一般为。0.3V~0.6V左右,具体跟三极管的特性有关,每个三极管型号都会有自己的死区电压,具体可查三极管型号的datasheet,会有相应的说明。此区间基极电流Ib=0。
放大区:放大区的主要特点是发射结正偏,集电结反偏,Ic=βIb,β为三极管的放大倍数。
饱和区:此区间发射结正偏,集电结正偏,注意:和放大区有所不同。Uce<Ube,βib>ic,Uce≈0.3V。
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